Рақами Қисм :
IPZ60R041P6FKSA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 600V TO247-4
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
77.5A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
41 mOhm @ 35.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 2.96mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
170nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
8180pF @ 100V
Тақсимоти барқ (Макс) :
481W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-TO247-4
Бастаи / Парвандаи :
TO-247-4