Рақами Қисм :
SIHF35N60E-GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
32A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
94 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
132nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
2760pF @ 100V
Тақсимоти барқ (Макс) :
39W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-220 Full Pack
Бастаи / Парвандаи :
TO-220-3 Full Pack