Рақами Қисм :
SIHFR1N60ATR-GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
1.4A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7 Ohm @ 840mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
14nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
229pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
36W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
D-PAK (TO-252AA)
Бастаи / Парвандаи :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63