[21316дона саҳҳомӣ]
- Рақами Қисм:
- K4ZAF325BM-HC16
- Истеҳсолкунанда:
- Samsung Semiconductor
- Тавсифи муфассал:
- 16 Gb 512M x 32 16.0 Gbps 16K / 32 ms 180FBGA Sample.
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: DDR3, DDR4, GDDR5, SLC Nand, LPDDR4, HBM Aquabolt, MODULE and HBM Flarebolt ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Samsung Semiconductor K4ZAF325BM-HC16 electronic components. K4ZAF325BM-HC16 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4ZAF325BM-HC16, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
K4ZAF325BM-HC16 Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
K4ZAF325BM-HC16
Истеҳсолкунанда :
Samsung Semiconductor
Тавсифи :
16 Gb 512M x 32 16.0 Gbps 16K / 32 ms 180FBGA Sample
Серияхо :
DDR3
зичии :
16 Gb
ORG. :
512M x 32
суръат :
16.0 Gbps
тару тоза кардан :
16K / 32 ms
бастаи :
180FBGA
Статуси Маҳсулоти :
Sample
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
M378A1K43BB1-CPB
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.
-
M378A1K43BB2-CRC
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.
-
M378A1K43BB2-CTD
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.
-
M378A1K43CB2-CPB
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.
-
M378A1K43CB2-CRC
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.
-
M378A1K43CB2-CTD
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.