Рақами Қисм :
ZXMP10A18KTC
Истеҳсолкунанда :
Diodes Incorporated
Тавсифи :
MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
3.8A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
150 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
26.9nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1055pF @ 50V
Тақсимоти барқ (Макс) :
2.17W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-252-3
Бастаи / Парвандаи :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63