Microsemi Corporation - APT65GP60J

KEY Part #: K6532585

APT65GP60J Нархгузорӣ (доллари ИМА) [2534дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$17.08650
  • 10 pcs$15.80641

Рақами Қисм:
APT65GP60J
Истеҳсолкунанда:
Microsemi Corporation
Тавсифи муфассал:
IGBT 600V 130A 431W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - TRIACs, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор and Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Microsemi Corporation APT65GP60J electronic components. APT65GP60J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT65GP60J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT65GP60J Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : APT65GP60J
Истеҳсолкунанда : Microsemi Corporation
Тавсифи : IGBT 600V 130A 431W SOT227
Серияхо : POWER MOS 7®
Статуси Қисми : Active
Намуди IGBT : PT
Танзимот : Single
Шиддат - Тақсими эмитентҳои коллекторӣ : 600V
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс) : 130A
Ҳокимият - Макс : 431W
Vce (дар) (Макс) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 65A
Ҷорӣ - Қатъи коллеҷ (Макс) : 1mA
Иқтидори воридотӣ (Cies) @ Vce : 7.4nF @ 25V
Ворид : Standard
NTC Термистор : No
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Chassis Mount
Бастаи / Парвандаи : SOT-227-4, miniBLOC
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : ISOTOP®

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.