ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42VM16800H-6BLI-TR

KEY Part #: K939347

Тавсифи муфассал:: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 128M, 1.8V, M-SDRAM 8Mx16, 166Mhz, RoHS

Категорияҳои оила:: KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Мантиқ - Мантиқи ихтисос, Воридшуда - Микропроцессорҳо, Соат / Вақтсанҷ - Соатҳои воқеӣ, PMIC - Ё нозирон, диодҳои идеалӣ, Мантиқ - Калидҳои сигнал, мултиплексҳо, декодерҳо, PMIC - Ронандагони лазерӣ, PMIC - Нозирон and Ҷойгиршуда - PLDs (Дастгоҳи мантиқи барномарезишуд ...

Афзалияти рақобатӣ:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16800H-6BLI-TR electronic components. IS42VM16800H-6BLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS42VM16800H-6BLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Рақами Қисм : IS42VM16800H-6BLI-TR

Истеҳсолкунанда : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Тавсифи : IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Серияхо : -

Статуси Қисми : Active

Намуди хотира : Volatile

Формати хотира : DRAM

Технология : SDRAM - Mobile

Андозаи хотира : 128Mb (8M x 16)

Фосилаи соат : 166MHz

Вақти давраро нависед - Калом, Саҳифа : -

Вақти дастрасӣ : 5.5ns

Интерфейси хотира : Parallel

Шиддат - Таъмин : 1.7V ~ 1.95V

Ҳарорати амалиётӣ : -40°C ~ 85°C (TA)

Навъи монтаж : Surface Mount

Бастаи / Парвандаи : 54-TFBGA

Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : 54-TFBGA (8x8)

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед

U62256ADK07LLG1

Alliance Memory, Inc.

IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch
W94AD2KBJX5E

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz
W9864G2JB-6I

Winbond Electronics

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp
W632GG8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB15I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.