Рақами Қисм :
SI8823EDB-T2-E1
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT
Серияхо :
TrenchFET® Gen III
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
2.7A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
95 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
10nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
580pF @ 10V
Тақсимоти барқ (Макс) :
900mW (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Бастаи / Парвандаи :
4-XFBGA