Истеҳсолкунанда :
GeneSiC Semiconductor
Тавсифи :
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A KBJ
Навъи диод :
Single Phase
Шиддат - Пурсиши баландтарин (макс) :
800V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
4A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1.1V @ 4A
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
5µA @ 800V
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи / Парвандаи :
4-SIP, KBJ
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
KBJ