BU2008-E3/51 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [34636дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$1.18989
- 1,000 pcs$0.49166
- Рақами Қисм:
- BU2008-E3/51
- Истеҳсолкунанда:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Тавсифи муфассал:
- BRIDGE RECT 1P 800V 3.5A BU. Bridge Rectifiers 20 Amp 800 Volt
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - JFETs, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Диодҳо - RF, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға and Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BU2008-E3/51 electronic components. BU2008-E3/51 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BU2008-E3/51, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BU2008-E3/51 Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
BU2008-E3/51
Истеҳсолкунанда :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Тавсифи :
BRIDGE RECT 1P 800V 3.5A BU
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Active
Навъи диод :
Single Phase
Технология :
Standard
Шиддат - Пурсиши баландтарин (макс) :
800V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
3.5A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1.05V @ 10A
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
5µA @ 800V
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи / Парвандаи :
4-SIP, BU
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
isoCINK+™ BU
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
VS-GBPC3512W
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1200 Volt 35 Amp
-
GBPC3504W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 35 Amp 400 Volt
-
TSS4B03G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B. Bridge Rectifiers 35ns 4A 200V Sup Fst Rec Rect
-
TS6KL60 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBJL. Bridge Rectifiers 6A 600V Standard Bridge Rectif
-
TS10KL80 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A KBJL. Bridge Rectifiers 10A 800V Standard Bridge Rectif
-
D2SB60 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A GBL. Bridge Rectifiers 1.5 Amp 600 Volt 80 Amp IFSM
Қисмҳои гарм
- 689-5D, 5N, 5P
- VS-90MT140KPBF
- KBU1005G T0G
- GBU8M-7001E3/51
- GBU6ML-5301E3/51
- GBU6J-1E3/51
- GBU4JL-7001E3/45
- KBP307G C2
- KBP301G C2G
- KBP203G C2G
- KBP157G C2G
- KBP201G C2
- KBP156G C2G
- KBP04ML-44E4/51
- 3KBP08M-E4/72
- 2KBP10ML-7001E4/51
- 2KBP08ML-7001E4/72
- MB110M-BP
- MB12M-BP
- 803-2
- W06M
- M3P75A-160
- M3P75A-100
- DBA100G-K15
- T485G
- MSD100-08
- CBR35-060P
- KBPF407G B0G
- KBP10M-E4/51
- 3N256-E4/51
- ME501210
- G3SBA60-E3/51
- VBO54-14NO7
- PBPC804
- 3N254
- MB102-BP
- EDF1DM/45
- GBJ606
- PB610
- 2KBP06M/1