Taiwan Semiconductor Corporation - S1G-KR2G

KEY Part #: K6458567

S1G-KR2G Нархгузорӣ (доллари ИМА) [2511991дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.01472

Рақами Қисм:
S1G-KR2G
Истеҳсолкунанда:
Taiwan Semiconductor Corporation
Тавсифи муфассал:
1A 400V STANDARD RECOVERY RECT.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Тиристорҳо - TRIACs and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S1G-KR2G electronic components. S1G-KR2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1G-KR2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1G-KR2G Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : S1G-KR2G
Истеҳсолкунанда : Taiwan Semiconductor Corporation
Тавсифи : 1A 400V STANDARD RECOVERY RECT
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Навъи диод : Standard
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) : 400V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) : 1A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар : 1.1V @ 1A
Суръат : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) : 1.5µs
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr : 1µA @ 400V
Иқтидори @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи / Парвандаи : DO-214AC, SMA
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : DO-214AC (SMA)
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ : -55°C ~ 175°C

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • 1SS294,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI. Schottky Diodes & Rectifiers SS Schottky 45Vrm 40V VR 300mA

  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAS16WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR