Рақами Қисм :
IPB097N08N3 G
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
80V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
70A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.7 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 46µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
35nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
2410pF @ 40V
Тақсимоти барқ (Макс) :
100W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
D²PAK (TO-263AB)
Бастаи / Парвандаи :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB