Рақами Қисм :
IPT111N20NFDATMA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 200V 96A HSOF-8
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
200V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
96A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.1 mOhm @ 96A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 267µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
87nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
7000pF @ 100V
Тақсимоти барқ (Макс) :
375W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-HSOF-8-1
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerSFN