Infineon Technologies - SI4410DYTRPBF

KEY Part #: K6420529

SI4410DYTRPBF Нархгузорӣ (доллари ИМА) [205934дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.17961
  • 4,000 pcs$0.15349

Рақами Қисм:
SI4410DYTRPBF
Истеҳсолкунанда:
Infineon Technologies
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Транзисторҳо - IGBTs - ягона and Транзисторҳо - JFETs ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Infineon Technologies SI4410DYTRPBF electronic components. SI4410DYTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4410DYTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4410DYTRPBF Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : SI4410DYTRPBF
Истеҳсолкунанда : Infineon Technologies
Тавсифи : MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
Серияхо : HEXFET®
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 1585pF @ 15V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 2.5W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : 8-SO
Бастаи / Парвандаи : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед