Infineon Technologies - IRLR3636TRLPBF

KEY Part #: K6419602

IRLR3636TRLPBF Нархгузорӣ (доллари ИМА) [120807дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.30617
  • 3,000 pcs$0.25477

Рақами Қисм:
IRLR3636TRLPBF
Истеҳсолкунанда:
Infineon Technologies
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - TRIACs, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо and Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Infineon Technologies IRLR3636TRLPBF electronic components. IRLR3636TRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR3636TRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLR3636TRLPBF Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : IRLR3636TRLPBF
Истеҳсолкунанда : Infineon Technologies
Тавсифи : MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Серияхо : HEXFET®
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 60V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 100µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 49nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±16V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 3779pF @ 50V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 143W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : D-Pak
Бастаи / Парвандаи : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед