1N5407-T Нархгузорӣ (доллари ИМА) [714995дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$0.05233
- 1,200 pcs$0.05207
- 2,400 pcs$0.04686
- 6,000 pcs$0.04426
- 12,000 pcs$0.04035
- 30,000 pcs$0.03775
- Рақами Қисм:
- 1N5407-T
- Истеҳсолкунанда:
- Diodes Incorporated
- Тавсифи муфассал:
- DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD. Rectifiers DO-201AD 3A 800V
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Диодҳо - Zener - Ягона, Диодҳо - RF, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF and Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Diodes Incorporated 1N5407-T electronic components. 1N5407-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5407-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N5407-T Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
1N5407-T
Истеҳсолкунанда :
Diodes Incorporated
Тавсифи :
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Active
Навъи диод :
Standard
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
800V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
3A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1V @ 3A
Суръат :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
-
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
10µA @ 800V
Иқтидори @ Vr, F :
25pF @ 4V, 1MHz
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи / Парвандаи :
DO-201AD, Axial
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
DO-201AD
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-65°C ~ 150°C
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
SD101AW-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60 Volt
-
RS07K-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 800V 500MA DO219AB. Rectifiers 1.3V 2uA 300ns
-
SE10FJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier
-
S07J-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 600V 700MA DO219AB. Rectifiers 0.7 Amp 600 Volt 1.8uS
-
SS1FH10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 1A Vrrm 100V AEC-Q101 Qualified
-
1N914TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 300MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 300mA
Қисмҳои гарм
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18