Истеҳсолкунанда :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Тавсифи :
MOSFET N-CH 150V 3A TO252
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
150V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
3A (Ta), 20A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
94 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.6V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
20nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
985pF @ 75V
Тақсимоти барқ (Макс) :
2.5W (Ta), 100W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-252, (D-Pak)
Бастаи / Парвандаи :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63