Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB150LH120N

KEY Part #: K6533217

VS-GB150LH120N Нархгузорӣ (доллари ИМА) [765дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$60.67083
  • 12 pcs$57.78169

Рақами Қисм:
VS-GB150LH120N
Истеҳсолкунанда:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Тавсифи муфассал:
IGBT 1200V 300A 1389W INT-A-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - RF, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Диодҳо - Rectifiers Bridge and Тиристорҳо - SCRs ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB150LH120N electronic components. VS-GB150LH120N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-GB150LH120N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB150LH120N Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : VS-GB150LH120N
Истеҳсолкунанда : Vishay Semiconductor Diodes Division
Тавсифи : IGBT 1200V 300A 1389W INT-A-PAK
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Намуди IGBT : -
Танзимот : Single
Шиддат - Тақсими эмитентҳои коллекторӣ : 1200V
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс) : 300A
Ҳокимият - Макс : 1389W
Vce (дар) (Макс) @ Vge, Ic : 1.87V @ 15V, 150A (Typ)
Ҷорӣ - Қатъи коллеҷ (Макс) : 1mA
Иқтидори воридотӣ (Cies) @ Vce : 10.6nF @ 25V
Ворид : Standard
NTC Термистор : No
Ҳарорати амалиётӣ : -40°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Chassis Mount
Бастаи / Парвандаи : Double INT-A-PAK (3 + 4)
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : Double INT-A-PAK

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT100GLQ65JU2

    Microsemi Corporation

    POWER MODULE - IGBT.

  • APT40GL120JU2

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 1200V 65A SOT-227.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.