VS-20ETF12-M3 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [22666дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$2.78963
- 10 pcs$2.51816
- 25 pcs$2.40111
- 100 pcs$2.08486
- 250 pcs$1.99117
- 500 pcs$1.81547
- 1,000 pcs$1.58122
- Рақами Қисм:
- VS-20ETF12-M3
- Истеҳсолкунанда:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Тавсифи муфассал:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC. Rectifiers 20A 1200V Single Die
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs and Транзисторҳо - Ҳадафи махсус ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-20ETF12-M3 electronic components. VS-20ETF12-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-20ETF12-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-20ETF12-M3 Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
VS-20ETF12-M3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Тавсифи :
DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Active
Навъи диод :
Standard
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
1200V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
20A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1.31V @ 20A
Суръат :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
400ns
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
100µA @ 1200V
Иқтидори @ Vr, F :
-
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи / Парвандаи :
TO-220-2
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-220AC
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-40°C ~ 150°C
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
VS-8EWF12STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWS10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK
-
VS-HFA04SD60STRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4 Amp 600 Volt
-
VS-HFA04SD60SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-8EWS16STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWF12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODES - D-PAK-E3. Rectifiers 8A If; 1200V Vr TO-252AA (DPAK)
Қисмҳои гарм
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18