Истеҳсолкунанда :
STMicroelectronics
Тавсифи :
MOSFET N-CH 620V 2.5A DPAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
620V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
2.5A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 50µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
17nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
386pF @ 50V
Тақсимоти барқ (Макс) :
45W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
DPAK
Бастаи / Парвандаи :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63