RGP10GE-E3/73 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [931859дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$0.03969
- 9,000 pcs$0.03671
- Рақами Қисм:
- RGP10GE-E3/73
- Истеҳсолкунанда:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Тавсифи муфассал:
- DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0A 400 Volt 150ns
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Rectifiers Bridge, Транзисторҳо - JFETs, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Диодҳо - RF, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF and Диодҳо - Zener - Ягона ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGP10GE-E3/73 electronic components. RGP10GE-E3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGP10GE-E3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RGP10GE-E3/73 Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
RGP10GE-E3/73
Истеҳсолкунанда :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Тавсифи :
DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Серияхо :
SUPERECTIFIER®
Статуси Қисми :
Active
Навъи диод :
Standard
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
400V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
1A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1.3V @ 1A
Суръат :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
150ns
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
5µA @ 400V
Иқтидори @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи / Парвандаи :
DO-204AL, DO-41, Axial
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
DO-204AL (DO-41)
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-65°C ~ 175°C
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
1SS250(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High
-
SE30AFG-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA
-
SE30AFD-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA
-
SE30AFB-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFJ-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFGHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in
Қисмҳои гарм
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18