RS1JL RHG Нархгузорӣ (доллари ИМА) [2200504дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$0.01681
- Рақами Қисм:
- RS1JL RHG
- Истеҳсолкунанда:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Тавсифи муфассал:
- DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA.
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Тиристорҳо - TRIACs and Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation RS1JL RHG electronic components. RS1JL RHG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1JL RHG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RS1JL RHG Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
RS1JL RHG
Истеҳсолкунанда :
Taiwan Semiconductor Corporation
Тавсифи :
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Active
Навъи диод :
Standard
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
600V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
800mA
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1.3V @ 800mA
Суръат :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
250ns
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
5µA @ 600V
Иқтидори @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
DO-219AB
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
Sub SMA
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-55°C ~ 150°C
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
MSC010SDA070K
Microsemi Corporation
DIODE SCHOTTKY 700V 10A TO220-3. Schottky Diodes & Rectifiers 700 V, 10 A SiC SBD
-
-
VB30100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,100V,TRENCH SKY RECT.
-
VB30120S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
-
NSB8AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
NSB8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
Қисмҳои гарм
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08