Истеҳсолкунанда :
STMicroelectronics
Тавсифи :
MOSFET N-CH 950V 8A TO-220
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
950V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
8A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
800 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 100µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
22nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
630pF @ 100V
Тақсимоти барқ (Макс) :
130W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-220
Бастаи / Парвандаи :
TO-220-3