Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
60V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
30A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
27 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
32nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1110pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
3.2W (Ta), 50W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-252
Бастаи / Парвандаи :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63