Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 30V 17.6A 8-SOIC
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
17.6A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
86nC @ 5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
7300pF @ 16V
Тақсимоти барқ (Макс) :
3.5W (Ta)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SO
Бастаи / Парвандаи :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)