STMicroelectronics - STD12N65M2

KEY Part #: K6419518

STD12N65M2 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [116005дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.31884
  • 2,500 pcs$0.28383

Рақами Қисм:
STD12N65M2
Истеҳсолкунанда:
STMicroelectronics
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 650V 8A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Тиристорҳо - TRIACs, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Диодҳо - Зенер - Массивҳо and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in STMicroelectronics STD12N65M2 electronic components. STD12N65M2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD12N65M2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD12N65M2 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : STD12N65M2
Истеҳсолкунанда : STMicroelectronics
Тавсифи : MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
Серияхо : MDmesh™ M2
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 650V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 16.5nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 535pF @ 100V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 85W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : DPAK
Бастаи / Парвандаи : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед