Рақами Қисм :
IRFSL23N20D
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
200V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
24A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
86nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1960pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
3.8W (Ta), 170W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-262
Бастаи / Парвандаи :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA