Nexperia USA Inc. - BSH205G2R

KEY Part #: K6417562

BSH205G2R Нархгузорӣ (доллари ИМА) [898121дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.04118
  • 3,000 pcs$0.03698

Рақами Қисм:
BSH205G2R
Истеҳсолкунанда:
Nexperia USA Inc.
Тавсифи муфассал:
MOSFET P-CH 20V 2A SOT23.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Диодҳо - Zener - Ягона, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Тиристорҳо - SCRs, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо and Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Nexperia USA Inc. BSH205G2R electronic components. BSH205G2R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSH205G2R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSH205G2R Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : BSH205G2R
Истеҳсолкунанда : Nexperia USA Inc.
Тавсифи : MOSFET P-CH 20V 2A SOT23
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 2A (Ta)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 6.5nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±8V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 418pF @ 10V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 480mW (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-236AB
Бастаи / Парвандаи : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед