Vishay Siliconix - SIF912EDZ-T1-E3

KEY Part #: K6524368

[4644дона саҳҳомӣ]


    Рақами Қисм:
    SIF912EDZ-T1-E3
    Истеҳсолкунанда:
    Vishay Siliconix
    Тавсифи муфассал:
    MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Дар фурӯш
    Муҳлати нигоҳдорӣ:
    Як сол
    Chip Аз:
    Гонконг
    RoHS:
    Намуди пардохт:
    Тарзи интиқол:
    Категорияҳои оила:
    KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - TRIACs, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Диодҳо - RF and Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо ...
    Афзалияти рақобатӣ:
    We specialize in Vishay Siliconix SIF912EDZ-T1-E3 electronic components. SIF912EDZ-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIF912EDZ-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIF912EDZ-T1-E3 Аттрибутҳои маҳсулот

    Рақами Қисм : SIF912EDZ-T1-E3
    Истеҳсолкунанда : Vishay Siliconix
    Тавсифи : MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
    Серияхо : TrenchFET®
    Статуси Қисми : Obsolete
    Навъи FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
    Хусусияти FET : Logic Level Gate
    Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 30V
    Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 7.4A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 7.4A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 15nC @ 4.5V
    Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Ҳокимият - Макс : 1.6W
    Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Навъи монтаж : Surface Mount
    Бастаи / Парвандаи : PowerPAK® 2x5
    Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : PowerPAK® (2x5)

    Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед