Рақами Қисм :
SI4965DY-T1-GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
Навъи FET :
2 P-Channel (Dual)
Хусусияти FET :
Logic Level Gate
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
8V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
450mV @ 250µA (Min)
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
55nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SO