Vishay Siliconix - SI4214DDY-T1-E3

KEY Part #: K6525375

SI4214DDY-T1-E3 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [241294дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.15405
  • 2,500 pcs$0.15329

Рақами Қисм:
SI4214DDY-T1-E3
Истеҳсолкунанда:
Vishay Siliconix
Тавсифи муфассал:
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Диодҳо - RF, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Диодҳо - Zener - Ягона, Тиристорҳо - SCRs and Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Vishay Siliconix SI4214DDY-T1-E3 electronic components. SI4214DDY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4214DDY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4214DDY-T1-E3 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : SI4214DDY-T1-E3
Истеҳсолкунанда : Vishay Siliconix
Тавсифи : MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO
Серияхо : TrenchFET®
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : 2 N-Channel (Dual)
Хусусияти FET : Logic Level Gate
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 8.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 22nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 15V
Ҳокимият - Макс : 3.1W
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи / Парвандаи : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : 8-SO

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед