GeneSiC Semiconductor - GA04JT17-247

KEY Part #: K6397545

GA04JT17-247 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [2763дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$14.78854
  • 10 pcs$13.67754
  • 25 pcs$12.56877
  • 100 pcs$11.68146
  • 250 pcs$10.72035

Рақами Қисм:
GA04JT17-247
Истеҳсолкунанда:
GeneSiC Semiconductor
Тавсифи муфассал:
TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Модулҳои драйвери барқ, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Диодҳо - RF, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Диодҳо - Rectifiers - ягона and Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GA04JT17-247 electronic components. GA04JT17-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA04JT17-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA04JT17-247 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : GA04JT17-247
Истеҳсолкунанда : GeneSiC Semiconductor
Тавсифи : TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : -
Технология : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 1700V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc) (95°C)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 480 mOhm @ 4A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : -
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : -
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 106W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : 175°C (TJ)
Навъи монтаж : Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-247AB
Бастаи / Парвандаи : TO-247-3
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • FCD3400N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2A DPAK.

  • FCD260N65S3

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 260MOHM TO252.

  • FCD7N60TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

  • FCD2250N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3.

  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • TK25A60X5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS.