Рақами Қисм :
GA04JT17-247
Истеҳсолкунанда :
GeneSiC Semiconductor
Тавсифи :
TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB
Технология :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
1700V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
4A (Tc) (95°C)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
480 mOhm @ 4A
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
-
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Тақсимоти барқ (Макс) :
106W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-247AB
Бастаи / Парвандаи :
TO-247-3