Рақами Қисм :
SSM6J505NU,LF
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
12V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
12A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
37.6nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
2700pF @ 10V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1.25W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
6-UDFNB (2x2)
Бастаи / Парвандаи :
6-WDFN Exposed Pad