Рақами Қисм :
TK25V60X,LQ
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
25A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
135 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1.2mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
40nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
2400pF @ 300V
Тақсимоти барқ (Макс) :
180W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
4-DFN-EP (8x8)
Бастаи / Парвандаи :
4-VSFN Exposed Pad