Истеҳсолкунанда :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Тавсифи :
MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN
Навъи FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Хусусияти FET :
Logic Level Gate
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
8A, 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
11nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
710pF @ 15V
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerWDFN
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-DFN-EP (3.3x3.3)