Vishay Siliconix - SI8401DB-T1-E1

KEY Part #: K6396457

SI8401DB-T1-E1 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [167720дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.22053
  • 3,000 pcs$0.20708

Рақами Қисм:
SI8401DB-T1-E1
Истеҳсолкунанда:
Vishay Siliconix
Тавсифи муфассал:
MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Модулҳои драйвери барқ, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға and Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Vishay Siliconix SI8401DB-T1-E1 electronic components. SI8401DB-T1-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8401DB-T1-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8401DB-T1-E1 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : SI8401DB-T1-E1
Истеҳсолкунанда : Vishay Siliconix
Тавсифи : MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
Серияхо : TrenchFET®
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 3.6A (Ta)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 17nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±12V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : -
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 1.47W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : 4-Microfoot
Бастаи / Парвандаи : 4-XFBGA, CSPBGA

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед