Рақами Қисм :
IPI80N06S3L-05
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
55V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 mOhm @ 69A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 115µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
273nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
13060pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
165W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-TO262-3
Бастаи / Парвандаи :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA