Рақами Қисм :
DMG4N60SK3-13
Истеҳсолкунанда :
Diodes Incorporated
Тавсифи :
MOSFET BVDSS 501V 650V TO252 T
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
3.7A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
14.3nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
532pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
48W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-252
Бастаи / Парвандаи :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63