Рақами Қисм :
IPG20N10S436AATMA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Серияхо :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Навъи FET :
2 N-Channel (Dual)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
36 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 16µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
15nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
990pF @ 25V
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerVDFN
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-TDSON-8-10