ON Semiconductor - FQD13N10LTM

KEY Part #: K6392678

FQD13N10LTM Нархгузорӣ (доллари ИМА) [321334дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.11511
  • 2,500 pcs$0.10768

Рақами Қисм:
FQD13N10LTM
Истеҳсолкунанда:
ON Semiconductor
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Тиристорҳо - TRIACs, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Тиристорҳо - SCRs, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус and Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in ON Semiconductor FQD13N10LTM electronic components. FQD13N10LTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD13N10LTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD13N10LTM Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : FQD13N10LTM
Истеҳсолкунанда : ON Semiconductor
Тавсифи : MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Серияхо : QFET®
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 12nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 520pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : D-Pak
Бастаи / Парвандаи : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед