Рақами Қисм :
TK12P60W,RVQ
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
11.5A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
340 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 600µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
25nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
890pF @ 300V
Хусусияти FET :
Super Junction
Тақсимоти барқ (Макс) :
100W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
DPAK
Бастаи / Парвандаи :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63