Infineon Technologies - IPB096N03LGATMA1

KEY Part #: K6407691

[886дона саҳҳомӣ]


    Рақами Қисм:
    IPB096N03LGATMA1
    Истеҳсолкунанда:
    Infineon Technologies
    Тавсифи муфассал:
    MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    Дар фурӯш
    Муҳлати нигоҳдорӣ:
    Як сол
    Chip Аз:
    Гонконг
    RoHS:
    Намуди пардохт:
    Тарзи интиқол:
    Категорияҳои оила:
    KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Модулҳои драйвери барқ, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ ...
    Афзалияти рақобатӣ:
    We specialize in Infineon Technologies IPB096N03LGATMA1 electronic components. IPB096N03LGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB096N03LGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPB096N03LGATMA1 Аттрибутҳои маҳсулот

    Рақами Қисм : IPB096N03LGATMA1
    Истеҳсолкунанда : Infineon Technologies
    Тавсифи : MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3
    Серияхо : OptiMOS™
    Статуси Қисми : Obsolete
    Навъи FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 30V
    Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
    Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.6 mOhm @ 30A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
    Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 15nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 1600pF @ 15V
    Хусусияти FET : -
    Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 42W (Tc)
    Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Навъи монтаж : Surface Mount
    Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : D²PAK (TO-263AB)
    Бастаи / Парвандаи : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
    • TPC6104(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6107(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6006-H(TE85L,F)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A.

    • 2N7000-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

    • BS170_J35Z

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • IRFR15N20DTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 17A DPAK.