Рақами Қисм :
IPP80P04P407AKSA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET P-CH TO220-3
Серияхо :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
40V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 150µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
89nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
6085pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
88W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-TO220-3-1
Бастаи / Парвандаи :
TO-220-3