Рақами Қисм :
NSBC114YPDXV6T5G
Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Навъи транзистор :
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс) :
100mA
Шиддат - Тақсими эмитентҳои коллекторӣ :
50V
Муқовимат - Пойгоҳи (R1) :
10 kOhms
Муқовимат - Пойгоҳи эмитент (R2) :
47 kOhms
DC ҷорӣ фоида (hFE) (Мин) @ Ic, Vce :
80 @ 5mA, 10V
Ҷойгиркунии Vce (Max) @ Ib, Ic :
250mV @ 300µA, 10mA
Ҷорӣ - Қатъи коллеҷ (Макс) :
500nA
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
SOT-563, SOT-666
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SOT-563