Рақами Қисм :
AON6508_101
Истеҳсолкунанда :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Тавсифи :
MOSFET N-CH DFN
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
29A (Ta), 32A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
49nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
2010pF @ 15V
Тақсимоти барқ (Макс) :
4.2W (Ta), 41W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-DFN (5x6)
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerSMD, Flat Leads