IXYS - IXTH2R4N120P

KEY Part #: K6394939

IXTH2R4N120P Нархгузорӣ (доллари ИМА) [18102дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$2.63129
  • 30 pcs$2.61820

Рақами Қисм:
IXTH2R4N120P
Истеҳсолкунанда:
IXYS
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Диодҳо - RF, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Диодҳо - Rectifiers Bridge and Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in IXYS IXTH2R4N120P electronic components. IXTH2R4N120P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH2R4N120P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH2R4N120P Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : IXTH2R4N120P
Истеҳсолкунанда : IXYS
Тавсифи : MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247
Серияхо : Polar™
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 1200V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 2.4A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 1207pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 125W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-247 (IXTH)
Бастаи / Парвандаи : TO-247-3