Рақами Қисм :
PHD36N03LT,118
Истеҳсолкунанда :
NXP USA Inc.
Тавсифи :
MOSFET N-CH 30V 43.4A DPAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
43.4A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
18.5nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
690pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
57.6W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
DPAK
Бастаи / Парвандаи :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63