IXYS - IXFN20N120P

KEY Part #: K6395028

IXFN20N120P Нархгузорӣ (доллари ИМА) [2732дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$16.73239
  • 10 pcs$16.64915

Рақами Қисм:
IXFN20N120P
Истеҳсолкунанда:
IXYS
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Модулҳои драйвери барқ, Диодҳо - Zener - Ягона, Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Транзисторҳо - JFETs, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Транзисторҳо - IGBTs - ягона and Тиристорҳо - TRIACs ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in IXYS IXFN20N120P electronic components. IXFN20N120P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN20N120P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN20N120P Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : IXFN20N120P
Истеҳсолкунанда : IXYS
Тавсифи : MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
Серияхо : Polar™
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 1200V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 570 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 193nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 11100pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 595W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Chassis Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : SOT-227B
Бастаи / Парвандаи : SOT-227-4, miniBLOC

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед