Рақами Қисм :
ALD212900PAL
Истеҳсолкунанда :
Advanced Linear Devices Inc.
Тавсифи :
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Серияхо :
EPAD®, Zero Threshold™
Навъи FET :
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Хусусияти FET :
Logic Level Gate
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
10.6V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14 Ohm
Vgs (th) (Max) @ Id :
20mV @ 20µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
-
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
30pF @ 5V
Ҳарорати амалиётӣ :
0°C ~ 70°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи / Парвандаи :
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-PDIP