Рақами Қисм :
BSC0924NDIATMA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Навъи FET :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Хусусияти FET :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
17A, 32A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
10nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1160pF @ 15V
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerTDFN
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-TISON-8